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NTMD5836NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
3000
T J = 25 ° C
10
Q T
2500
2000
C iss
V GS = 0 V
8
6
1500
1000
4
Q GS
Q GD
500
0
0
C rss
10
C oss
20
30
40
2
0
0
5
10
15
20
25
V GS = 20 V
I D = 10 A
T J = 25 ° C
30 35
40
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation ? Channel 1
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge ?
Channel 1
1000
V DD = 20 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
t r
20
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(off)
t f
t d(on)
5
10
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance ? Channel 1
80
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
? Channel 1
I D = 39 A
10
1
1 m s
10 m s
60
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
100 m s
1 ms
40
0.01
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
20
0.001
0.1
PACKAGE LIMIT
1 10
100
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area ? Channel 1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature ? Channel 1
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